创建气隙的方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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创建气隙的方法.pdf

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本发明涉及创建气隙的方法。氧化锡膜用于在半导体衬底处理期间产生气隙。可以使用在含H2工艺气体中形成的等离子体来选择性地蚀刻设置在诸如SiO2和SiN之类的暴露的其他材料层之间的氧化锡膜。蚀刻在周围材料之间产生凹陷特征来代替氧化锡。诸如SiO2之类的第三材料沉积在所得到的凹陷特征上而不完全填充凹陷特征，从而形成气隙。在一些实施方式中，在SiO2、SiC、SiN、SiOC、SiNO、SiCNO或SiCN的存在下选择性地蚀刻氧化锡的方法包括使衬底与在包含至少约50％H2的工艺气体中形成的等离子体接触。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242345 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 202010909034.8 H01L 21/3065 (2006.01) (22)申