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- 2023-05-26 发布于四川
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本发明公开了一种高反射率晶体硅碱抛光添加剂及其使用方法，由以下质量百分比的原料组成：促进剂0.1％～5％，络合剂0.1％～2％，脱泡剂0.05％～1％，缓蚀剂0.1％～2％，pH调节剂0.1％～6％，余量为去离子水。取适量碱抛光添加剂加入碱性溶液中，混合均匀后配成抛光液，放入硅片完成抛光反应。本发明提供的一种高反射率晶体硅碱抛光添加剂及其使用方法，采用碱性抛光技术，工艺稳定性更好，降低酸的消耗及排放，反应产生的污染较少，成本低廉。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115975512 A
(43)申请公布日 2023.04.18
(21)申请号 202211595100.4
(22)申请日 2022.12.12
(71)申请人 嘉兴市小辰光伏科技有限公司
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