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- 2023-05-26 发布于四川
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本申请涉及一种太阳电池及其制备方法,属于太阳电池技术领域。该太阳电池包括单晶硅片、位于单晶硅片两个表面的介质层,位于两个介质层表面的本征非晶硅层,位于两个本征非晶硅层表面的掺杂非晶硅层;其中,介质层为除硅以外的异质元素与硅键接的层结构;异质元素为VA族、VIA族、VIIA族的主族元素。该太阳电池从原理上改善了单晶硅表面的外延生长,减少单晶硅/本征非晶硅界面处缺陷密度,改善本征非晶硅层的钝化效果,提高HJT太阳电池的开路电压和转换效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115985991 A
(43)申请公布日 2023.04.18
(21)申请号 202211668915.0
(22)申请日 2022.12.22
(71)申请人 通威太阳能(成都)有限公司
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