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功率半导体模块及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-26 发布于四川
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功率半导体模块及其制造方法.pdf

    本发明提供功率半导体模块及其制造方法，包括顶板和壳体，其中，顶板设置在壳体顶部，顶板和壳体之间形成密闭空腔，密闭空腔内从上而下依次设置有电极、半导体芯片和底板，电极与半导体芯片对应设置。本发明将模块内部形成一个完全密封的空腔，在完全密封的环境下，有效阻止外部物质进入功率半导体模块内心成损伤，良好地保护以防腐蚀和/或由于湿气和/或其他围绕功率半导体模块的有害物质可能引起的其他损坏。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115985856 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202211669039.3 H01L 23/31 (2006.01)

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