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- 2023-05-26 发布于四川
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本发明公开一种湿法刻蚀工艺制备硅基OLED阳极的方法，包括以下步骤：用去离子水清洗硅基板，在硅基板上蒸镀阳极层，在阳极层上形成抗反射涂层和光刻胶层，用光刻技术制备出图形像素，采用腐蚀溶液腐蚀底部不被抗反射涂层和光刻胶层保护的阳极层，用N‑甲基吡咯烷酮溶液去除抗反射涂层和光刻胶层，形成阳极像素点，对硅基板进行清洗、烘干。本发明针对以硅片为衬底的微型OLED显示器，使用湿法刻蚀工艺代替传统湿法剥离方法制备阳极像素点，使子像素间距更小，像素密度高，从而在0.6英寸的微型OLED显示器上实现分辨率为12
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112289965 A
(43)申请公布日 2021.01.29
(21)申请号 202011478747.X
(22)申请日 2020.12.16
(71)申请人 浙江宏禧科技有限公司
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