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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成初始鳍部层；在所述初始鳍部层上形成多个分立排布的硬掩膜结构；在所述硬掩膜结构侧壁上形成第一氧化层；采用等离子体注入工艺对所述第一氧化层进行氧离子注入；刻蚀所述初始鳍部层，形成多个凸出于所述基底的鳍部。本发明有助于增加所述鳍部沿横向方向的厚度，其中，横向方向垂直于所述鳍部的延伸方向，且横向方向平行于所述基底顶部表面。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112349653 A (43)申请公布日 2021.02.09 (21)申请号 20191

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