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半导体结构的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-27 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

    一种半导体结构的形成方法：提供衬底；在衬底上形成栅极结构、源漏掺杂区和第一介质层；在第一介质层上形成第二介质层；在第二介质层上形成掩膜结构，包括第一掩膜层、位于第一掩膜层顶部的第二掩膜层以及位于第一掩膜层和第二掩膜层侧壁的第三掩膜层，第一掩膜层分别与第二掩膜层和第三掩膜层的材料不同；以掩膜结构为掩膜刻蚀第二介质层形成平行排列的第一凹槽，使部分第二介质层形成隔离结构，隔离结构沿垂直于第一凹槽延伸方向贯穿第一凹槽；去除掩膜结构，在栅极结构上的第二介质层内或隔离结构内形成第二凹槽；在第一凹槽内形成与源

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116169092 A (43)申请公布日 2023.05.26 (21)申请号 202111408621.X (22)申请日 2021.11.24 (71)申请人 中芯南方集成电路制造有限公司 地址

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