三维存储器的封装连接结构的形成方法及三维存储器.pdfVIP

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2023-05-27 发布于四川
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三维存储器的封装连接结构的形成方法及三维存储器.pdf

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本发明提供一种三维存储器的封装接连结构的形成方法及三维存储器，基于“两层介电层+两次刻蚀”的打开刻蚀原理，在三维存储器的焊盘结构上形成有第一介电层和第二介电层，且刻蚀第二介电层时第二介电层的刻蚀速率显著高于第一介电层的刻蚀速率，使得第一次刻蚀停留在第一介电层上，再结合第二次刻蚀去除同样深度的第一介电层及焊盘结构的一部分，从而实现两次刻蚀深度的精准可控，尤其是第一次刻蚀深度的精准可控，能忽略刻蚀速率的差异和介电层沉积厚度的差异对刻蚀深度的影响；通过两次刻蚀深度的精准控制，能避免过刻蚀现象，减轻了过

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112331657 A (43)申请公布日 2021.02.05 (21)申请号 202011096429.7 (22)申请日 2020.10.14 (71)申请人长江

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