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本发明公开了一种硼掺杂氧化镍/氢氧化镍电极材料的制备方法,包括如下步骤:1)铜片表面预处理;2)在铜片表面化学镀NiB薄膜;3)采用原位电化学阳极氧化的方法处理镀膜后的铜片,得到B掺杂的NiO/Ni(OH)2(B)电极材料。本发明针对现有的NiO/Ni(OH)2电极材料的制备路线的缺点,提出了在0.1mm铜片柔性材料表面先化学镀NiB再电化学阳极氧化制备工艺路线,得到了一种简单易行、B掺杂量大、可控性良好的NiO/Ni(OH)2(B)电极材料的制备工艺,提高了制备出的NiO/Ni(OH)2电极材
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112331491 A
(43)申请公布日 2021.02.05
(21)申请号 202011171818.1 C25D 11/34 (2006.01)
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