非晶硅薄膜成膜方法.pdfVIP

非晶硅薄膜成膜方法.pdf

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本发明公开了一种非晶硅薄膜成膜方法，在非晶硅薄膜成膜之前，先淀积一层采用低淀积速率形成的一层等离子增强氧化膜层，然后再淀积非晶硅薄膜层，此方法形成的非晶硅薄膜表面粗糙度低，平整度好，大幅改善非晶硅成膜质量。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112331556 A (43)申请公布日 2021.02.05 (21)申请号 202011202115.0 (22)申请日 2020.11.02 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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