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2023-05-27 发布于四川
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一种半导体器件及制作方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件及制作方法，其中制作方法包括如下步骤:在基板上制作辅助阴极；制作具有开槽的隔离层，所述开槽的底部宽度大于所述开槽的顶部宽度；通过第一蒸发源在基板上形成有机膜层，所述第一蒸发源的蒸汽经过开槽时未被开槽顶部遮挡的部分进入到开槽底部形成有机膜层；所述有机膜层的侧边与开槽底部侧边具有间隙并露出所述辅助阴极；通过蒸镀的方式在基板上形成阴极，蒸镀时的蒸汽从不同角度穿过所述开槽的顶部并覆盖开槽的整个底部，所述阴极覆盖所述开槽中的有机膜层且侧边通过所述间隙与辅助阴极连接。上述技术方案可以

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112331800 A (43)申请公布日 2021.02.05 (21)申请号 202011156829.2 (22)申请日 2020.10.26 (71)申请人福建华佳彩有限公司地

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