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本发明涉及一种发光器件，包括基板、第一电极层、发光功能层以及第二电极层；第一电极层设置在基板上，发光功能层设置在第一电极层上，第二电极层设置在发光功能层上，发光功能层包含量子点发光材料以及卤化‑石墨烯氧化物。由于目前常用的Ⅱ‑Ⅵ族、Ⅲ‑Ⅴ族量子点等是n型半导体，所以发光层的电子导电性明显好于空穴导电性，这是QLED电荷不平衡的一个重要原因。为了促进电荷平衡，提高发光层的空穴导电性至关重要。上述发光器件中的发光功能层包含量子点发光材料以及卤化‑石墨烯氧化物，卤化‑石墨烯氧化物具有出色的吸电子性能，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112331786 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 201911377656.4 H10K 85/00 (2023.01)
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