硅片表面绒面结构的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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本发明提供了一种硅片表面绒面结构的制备方法,包括:提供硅片,对所述硅片的表面进行无掩膜刻蚀和/或无掩膜离子注入的前处理,使所述硅片的表面变粗糙;将变粗糙的所述硅片表面进行碱制绒,以在变粗糙的所述硅片表面形成金字塔绒面结构。通过对硅片进行前处理,使硅片表面变得粗糙,利于后续碱制绒工序,以在变粗糙的所述硅片表面形成更多的金字塔绒面结构;通过碱制绒,碱法刻蚀的各向异性刻蚀,最终在变粗糙的所述硅片的表面形成金字塔绒面结构。本发明的方法不需要掩膜,简化工艺,形成均匀的绒面结构,制备的“金字塔”结构数量多,

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112349812 A (43)申请公布日 2021.02.09 (21)申请号 202011166572.9 (22)申请日 2020.10.27 (71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司

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