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采用单独存储器单元读取、编程和擦除的存储器单元阵列.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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采用单独存储器单元读取、编程和擦除的存储器单元阵列.pdf

    本发明公开了一种存储器设备和擦除该存储器设备的方法，该存储器设备包括半导体材料衬底，和形成在衬底上并布置成行和列的阵列的多个存储器单元。存储器单元中的每一个储器单元包括在衬底中间隔开的源极区和漏极区，其中衬底中的沟道区在源极区和漏极区之间延伸，设置在沟道区的与源极区相邻的第一部分上方并与该第一部分绝缘的浮栅，设置在沟道区的与漏极区相邻的第二部分上方并与该第二部分绝缘的选择栅，以及设置在源极区上方并与源极区绝缘的编程擦除栅。单独或与选择栅极线或源极线组合的编程擦除栅极线沿列方向布置，使得每个存储器

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109328385 A (43)申请公布日 2019.02.12 (21)申请号 20178

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