1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

掺杂二维材料的阻变式随机存取存储器及其制备方法.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约7.56千字
  • 约 7页
  • 2023-05-28 发布于四川
  • 举报

掺杂二维材料的阻变式随机存取存储器及其制备方法.pdf

    本申请涉及一种掺杂二维材料的阻变式随机存取存储器及其制备方法，该阻变式随机存取存储器包括由上至下设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述阻变氧化层为掺杂二硫化钼粉末的氧化石墨烯层，所述基底包括上下层叠设置的底电极层和绝缘层。该掺杂二维材料的阻变式随机存取存储器及其制备方法实现了低成本的RRAM制备，能满足大批量低成本的工业化生产需求。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112382723 A (43)申请公布日 2021.02.19 (21)申请号 202011267838.9 (22)申请日 2020.11.13 (71)申请人 西交利物浦大学 地址

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >