用于区熔法制备单晶硅的加热线圈.pdfVIP

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2023-05-28 发布于四川
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本发明涉及一种用于区熔法制备单晶硅的加热线圈，包括线圈主体和线圈冷却水管，线圈冷却水管嵌入线圈主体内，线圈主体为平板单匝结构，线圈主体的上表面设有向线圈内部凹陷的台阶Ⅰ，在台阶Ⅰ底部与线圈主体内圆上边缘之间设置上斜面；在线圈主体下表面设置向线圈内部凹陷的台阶Ⅱ；在台阶Ⅱ底部与线圈主体内圆下边缘之间设置上斜面；在线圈主体内圆下表面处，设置一圈圆弧凸起；在线圈主体内圆处开有四个贯通上下表面的十字狭缝，在线圈主体外圆沿狭缝Ⅰ方向的一侧设置连接电极的法兰，在法兰与狭缝Ⅰ间设置一条主缝，主缝宽度逐渐减小延

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112359411 A (43)申请公布日 2021.02.12 (21)申请号 202011426075.8 (22)申请日 2020.12.09 (71)申请人中国

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