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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明公开一种碳化硅涂层石墨基座的制备方法，该制备方法包括以下步骤：对石墨基座进行预处理，然后置于石墨分流盘上；进行CVR沉积：将高纯Si粉末和高纯SiO2粉末混合，置于真空炉中，对真空炉进行抽真空处理并在氩气氛围中升温至1850‑2050℃，保温反应2‑4h，在石墨基座表面生成SiC基体层；进行CVD沉积：将真空炉炉温降至1050‑1200℃，然后通入CH3SiCl3‑H2‑Ar反应气源体系，保温反应10‑30h，在步骤S2所形成的SiC基体层上形成SiC外层；使用本发明的制备方法所得碳化硅涂
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112374912 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011267391.5
(22)申请日 2020.11.13
(71)申请人 湖南中科顶立技术创新研究院有限
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