原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种低射频耗散的N面HEMT器件，包括：外延基片，其自下而上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlxGa1‑xN渐变势垒层、AlN插入层、AlGaN势垒层以及GaN沟道层；钝化层，设置在GaN沟道层上方；源电极和漏电极，分别设置在外延基片两端AlGaN势垒层的上方；栅电极，设置在钝化层上；其中，AlxGa1‑xN渐变势垒层与GaN缓冲层的界面处进行了δ‑掺杂。本发明一方面在靠近NPI处的渐变势垒层中进行了δ‑掺杂，提高了在NPI处电离后带正电的Si离子数量，进一步补偿了极化负电荷；另一方面
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116169168 A
(43)申请公布日 2023.05.26
(21)申请号 202211709825.1
(22)申请日 2022.12.29
(71)申请人 西安电子科技大学
地址 7100
文档评论（0）