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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明提供了一种磁性异质结构、其人工反铁磁体、制备方法及磁性隧道结。利用Ir插层修饰W/Ir(t)/CoFeB/MgO的异质结构实现了400摄氏度退火温度下较高的有效垂直各向异性，该结构不仅能应用于STT‑MTJ中，还可能应用于SOT‑MTJ和skymionsdevices。进一步地使MTJ单元小型化。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116171100 A
(43)申请公布日 2023.05.26
(21)申请号 202310162266.5
(22)申请日 2023.02.24
(71)申请人 中国科学院物理研究所
地址 10
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