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氮化镓增强型器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-28 发布于四川
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氮化镓增强型器件及其制造方法.pdf

    本申请涉及一种氮化镓增强型器件及其制造方法包括衬底、成核缓冲层、氮化镓沟道层、超薄铝镓氮势垒层、氮化镓帽层、再次生长层、氮化硅绝缘层、漏极、源极和栅极；通过刻蚀工艺去掉氮化镓帽层的第一部分、并使用金属有机化学气相沉积生长铝镓氮再次生长层；在氮化镓帽层的第二部分和铝镓氮再次生长层通过低压化学气相沉积含高比例硅基的氮化硅绝缘层。通过低压化学气相沉积系统生长的高比例硅基的氮化硅绝缘层，以吸收天然铝镓氮势垒层表面上的氧原子，从而减少氮化硅/铝镓氮界面之间的氧污染区域，并通过铝镓氮再次生长层来降低导通电阻

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112382662 B (45)授权公告日 2022.06.21 (21)申请号 202011272874.4 H01L 21/335 (2006.01)

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