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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明公开了基于新型电阻模型的GaNHEMT等效电路拓扑结构，包括晶体管GH；GH的栅极G、源极S和漏极D分别连接电感L1、L3和L2的一端；L1的另一端分别连接电容C1、电阻R1和电容C2的一端；电阻R1另一端分别接电容C3的一端和电容C4的一端；C3另一端与电阻R2的一端相接；电容C4另一端与电阻R3的一端相接；电阻R3另一端分别与电流源Ids的一端、电容C5、电阻R5和电阻R4的一端相接；电阻R2另一端分别接电阻RS的一端、电流源Ids另一端、C5另一端和R5另一端。本发明采用了新型电阻
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112380659 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011253334.1
(22)申请日 2020.11.11
(71)申请人 天津大学
地址 30
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