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- 2023-05-28 发布于四川
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本发明属于计算机架构技术领域，具体来说是涉及一种亚阈区低功耗存算一体CMOS电路结构。本发明是MOSFET工作在亚阈区时的电流‑电压指数关系，使单个MOSFEET在不同的源漏电压VDS、栅源电压VGS下，输出不同大小的源漏电流IDsub，从而实现低功耗设计的同时完成源漏电压VDS与栅源电压VGS在电流模式下的加法运算。在6TSRAM的单比特存储模块结构的基础上，增加运算模块用于运算实现，增加读取控制模块用于运算结果的选择性读取。运算模块中有电流模式单管加法器等运算单元结构，根据亚阈区下电流‑电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382324 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011260920.9
(22)申请日 2020.11.12
(71)申请人 电子科技大学
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