原创力文档- 1
- 0
- 约1.96万字
- 约 13页
- 2023-05-28 发布于四川
- 举报
本发明公开了一种AlGaN基紫外发光二极管及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该二极管包括衬底及设于衬底之上的N型半导体层，二极管还包括：依次层叠于N型半导体层之上的低温应力释放层、阱前电子阻挡层、阱前电子减速层、量子阱发光层、空穴储备层、P型半导体层与P型欧姆接触层；其中，阱前电子阻挡层为组分阶梯变化的AlGaN多层结构，阱前电子减速层为AlGaN/AlGaN超晶格结构，空穴储备层为多阶组分阶梯递减的AlGaN/AlGaN超晶格结构。本发明解决了现有技术中发光二极管中有源区内空穴浓度较低，有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115832136 A
(43)申请公布日 2023.03.21
(21)申请号 202310146521.7
(22)申请日 2023.02.22
(71)申请人 江西兆驰半导体有限公司
地址 33
文档评论（0）