第一层金属布局方法及集成电路.pdfVIP

  • 4
  • 0
  • 约1.59万字
  • 约 12页
  • 2023-05-28 发布于四川
  • 举报
本发明提供了一种第一层金属布局方法,包括计算得到绕线格点线间距,以所述第一层金属a或所述第一层金属b的长度方向为第一方向,然后以所述第一方向为延伸方向以及间距为所述绕线格点线间距设置多条绕线格点线,其中,所述第一层金属a和所述第一层金属b的长度方向相同,沿所述绕线格点线设置第一层金属c,沿所述绕线格点线设置第一层金属e和第一层金属f,增加了第一层金属的布线通道数,提高了布通率,且有源区和栅极接触孔数量大于或等于一个,无需额外占用第一层金属的布线通道,接触孔数量增加,从而增加了版图的可靠性。本发明

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112380805 A (43)申请公布日 2021.02.19 (21)申请号 202011266113.8 (22)申请日 2020.11.13 (71)申请人 上海亿存芯半导体有限公司

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档