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本发明涉及一种红外探测器材料的势垒层及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料结构从上向下依次为顶电极接触层、势垒层、吸收层、底电极接触层、缓冲层以及衬底；势垒层材料为掺杂5×1015～1×1016cm‑3Be的p型复合层，在吸收层上先生长AlAs0.08Sb0.92层，后生长AlSb层，之后两层交替生长形成的复合层，AlAs0.08Sb0.92层和AlSb层的厚度分别独立为1～10nm，AlAs0.08Sb0.92层与吸收层接触；势垒层厚度为100～200nm。势垒层能消除
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112382690 A
(43)申请公布日 2021.02.19
(21)申请号 202011060701.6
(22)申请日 2020.09.30
(71)申请人 昆明物理研究所
地址
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