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本发明涉及沸石膜制备技术领域，特别是一种纯硅沸石复合膜及其制备方法，本发明制备方法主要采用含硅烷偶联剂的改性溶液对多孔载体进行改性，通过硅烷偶联剂来改善多孔载体在改性溶液中的分散性以及多孔载体与有机改性溶液的结合力，大大增加了改性有机物与多孔载体的界面结合的牢固性以及改性物质在载体表面和载体孔隙中的覆盖率，而后通过高温处理将已经全面覆盖于载体表面的改性有机物炭化为一层碳膜。本发明所制备的纯硅沸石膜显示出较低的气体分子、液体分子传输阻力和较高的分离选择性，具有优越的分离性能，同时本发明的纯硅沸石膜
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112387130 A
(43)申请公布日 2021.02.23
(21)申请号 202011177144.6
(22)申请日 2020.10.28
(71)申请人 武汉市晶博特科技有限公司
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