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8.3 MIS结构的C-V特性 8.3 MIS结构的C-V特性 8.4 表面电导及迁移率 8.4.1 表面电导 作业 P239 第1、5 谢谢！ Thanks ！ 本学期课程结束 * * 《半导体物理学》 任课老师：潘书万 Email: shuwanpan@hqu.edu.cn Tel2013-2014 上学期 半导体物理学 1. 半导体中的电子状态 2. 半导体中杂质和缺陷能级 3. 半导体中载流子的统计分布 4. 半导体的导电性 5. 非平衡载流子 6. p-n结 7. 金属和半导体的接触 8. 半导体表面与MIS结构 9. 半导体异质结构 主要内容 8.1 表面态的概念 8.2 表面电场效应 8.2 MIS 结构的C-V 特性 8.3 Si-SiO2 系统的性质 8.4 表面电导及迁移率 重点掌握 1）表面电场效应 2）理想与非理想MIS结构的C-V特性 8.1 表面态的概念 8.1.1 表面的特殊性 8.1 表面态的概念 8.1.2 理想表面 8.1 表面态的概念 8.1.2 理想表面 8.1 表面态的概念 8.1.2 真实表面 硅(111)表面7×7重构的原子照片 8.1 表面态的概念 主要内容 8.1 表面态的概念 8.2 表面电场效应 8.2 MIS 结构的C-V 特性 8.3 Si-SiO2 系统的性质 8.4 表面电导及迁移率 8.2 表面电场效应 8.2.1 空间电荷层 8.2 表面电场效应 8.2.1 空间电荷层 8.2 表面电场效应 8.2.2 空间电荷层中的泊松方程 8.2 表面电场效应 8.2.2 空间电荷层中的泊松方程 8.2 表面电场效应 8.2.2 空间电荷层中的泊松方程 8.2 表面电场效应 8.2.2 空间电荷层中的泊松方程 8.2 表面电场效应 8.2.3 半导体表面电场、电势和电容 8.2 表面电场效应 8.2.4 半导体表面层的五种基本状态 8.2 表面电场效应 8.2.4 半导体表面层的五种基本状态 8.2 表面电场效应 8.2.4 半导体表面层的五种基本状态 8.2 表面电场效应 8.2.4 半导体表面层的五种基本状态 8.2 表面电场效应 8.2.4 半导体表面层的五种基本状态 8.3 MIS结构的C-V特性 8.3.1 MIS电容结构的能带图 8.3 MIS结构的C-V特性 8.3.2 理想MIS电容的C-V特性 8.3 MIS结构的C-V特性 8.3.2 理想MIS电容的C-V特性 8.3 MIS结构的C-V特性 8.3.2 理想MIS电容的C-V特性 8.3 MIS结构的C-V特性 8.3.2 理想MIS电容的C-V特性 8.3 MIS结构的C-V特性 8.3.2 理想MIS电容的C-V特性 8.3 MIS结构的C-V特性 Si-SiO2系统中的电荷状态 8.3 MIS结构的C-V特性 Si-SiO2系统中的电荷状态 8.3 MIS结构的C-V特性 8.3.3 实际MIS电容的C-V特性 8.3 MIS结构的C-V特性 8.3.3 实际MIS电容的C-V特性 * *
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