半导体的导电性2.pptVIP

* * 三个光学波=两个横波+一个纵波 三个声学波=两个横波+一个纵波 4.2 载流子的散射 纵波 横波 传播方向 平衡位置 原子 4.2 载流子的散射 　频率为 ?a 的一个格波，能量是量子化的，只能是　（1/2）h ?a ， （3/2）h ?a ，….. (n+1/2)h ?a 　　格波能量以h?a为单元，格波能量变化是h?a 整数倍。称为声子。 声子是一种准粒子，它既有能量又有动量. 晶格与其他物质（如电子、光子）相互作用而交换能量时，晶格原子的振动状态就要发生变化，格波能量就改变。 4.2 载流子的散射 　放出一个声子：当格波能量减少一个h?a 吸收一个声子：增加一个 h?a 电子受晶格振动的散射----电子与声子的散射 （格波） （吸收或释放一个声子） 声子散射遵循能量守恒和动量守恒定律 4.2 载流子的散射 A)声学波散射 Ps ? T 3/2 　　　　　　　（4-29） B）光学波散射 量子力学微扰理论得出 4.2 载流子的散射 3 其他因素引起的散射 等同的能谷间散射—低温时谷间散射很小 对于能量极值相同的多能谷，电子可以从一个极值附近散射到另外一个极值附近。 4.2 载流子的散射 中性杂质散射（低温重掺杂半导体） 没有电离的中性杂质对周期性势场有一定的微扰作用引起的散射 位错散射 位错密度很高（104cm-2）的材料需考虑 合金散射：多元化合物半导体混晶，两种同族原子在其晶格中相应的位置上随机排列,都会产生对载流子产生散射作用 载流子之间的散射（强简并半导体） 4.2 载流子的散射 载流子的主要散射机制 主要的散射中心 电离杂质 中性杂质 缺陷 声学波散射 光学波散射 杂质 晶格不完整 晶格热振动 载流子散射 4.2 载流子的散射 4. 半导体的导电性 4.1. 载流子的漂移运动和迁移率 4.2. 载流子的散射 4.3. 迁移率与杂质的浓度和温度的关系 4.4. 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 4.5. 玻尔兹曼方程 4.6. 强电场下的效应、热载流子 4.7. 多能谷散射、耿氏效应 4.3. 迁移率与杂质的浓度和温度的关系 迁移率与杂质的浓度和温度的关系 4.3. 迁移率与杂质的浓度和温度的关系 迁移率与杂质的浓度和温度的关系 4.3. 迁移率与杂质的浓度和温度的关系 迁移率与杂质的浓度和温度的关系 4. 半导体的导电性 4.1. 载流子的漂移运动和迁移率 4.2. 载流子的散射 4.3. 迁移率与杂质的浓度和温度的关系 4.4. 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 4.5. 玻尔兹曼方程 4.6. 强电场下的效应、热载流子 4.7. 多能谷散射、耿氏效应 4.4. 电阻率与杂质浓度和温度的关系 电阻率与杂质浓度的关系 4.4. 电阻率与杂质浓度和温度的关系 电阻率与温度的关系 4. 半导体的导电性 4.1. 载流子的漂移运动和迁移率 4.2. 载流子的散射 4.3. 迁移率与杂质的浓度和温度的关系 4.4. 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 4.5. 玻尔兹曼方程 4.6. 强电场下的效应、热载流子 4.7. 多能谷散射、耿氏效应 4.6. 强电场下的效应、热载流子 欧姆定律的偏离、热载流子 4.6. 强电场下的效应、热载流子 欧姆定律的偏离、热载流子 作业 P125 第2、7、8、11、13、16题 本节课结束！ 谢谢大家！ * * * * * * * * * * * * 《半导体物理学》 任课老师：潘书万 Email: shuwanpan@hqu.edu.cn Tel2013-2014 上学期 半导体物理学 1. 半导体中的电子状态 2. 半导体中杂质和缺陷能级 3. 半导体中载流子的统计分布 4. 半导体的导电性 5. 非平衡载流子 6. p-n结 7. 金属和半导体的接触 8. 半导体表面与MIS结构 9. 半导体异质结构 4. 半导体的导电性 4.1. 载流子的漂移运动和迁移率 4.2. 载流子的散射 4.3. 迁移率与杂质的浓度和温度的关系 4.4. 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 4.5. 玻尔兹曼方程 4.6. 强电场下的效应、热载流子 4.7. 多能谷散射、耿氏效应 重点： 半导体的迁移率、电导率、电阻率随温度和杂质浓度的变化规律 载流子的散射概念,了解迁移率的本质 载流子散射的物理本质(定性结论) 电导率 4. 半导体的导电性 4. 半导体的导电性 4.1. 载流子的漂移运动和迁移率 4.2. 载流子的散射 4.3. 迁移率与杂质的浓度和温度的关系 4.4. 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 4.