一种高分散钌修饰的富含氧缺陷半导体光催化剂、制备方法及其应用.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种高分散钌修饰的富含氧缺陷半导体光催化剂、制备方法及其应用.pdf

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一种高分散钌修饰的富含氧缺陷半导体光催化剂、制备方法及其在光催化氨合成中的应用，属于光催化氨合成技术领域。首先是制备富含氧缺陷二氧化锆，然后将金属钌的前驱体溶液与其混合，超声使混合均匀，抽干溶剂后煅烧得到所述的高分散钌修饰的富含氧缺陷半导体光催化剂，金属钌占整个催化剂质量的0.1％～10％，高分散钌的粒径为1～5nm。本发明基于构筑氧缺陷的二氧化锆表面负载钌纳米粒子，得到的催化剂应用于光催化固氮反应技术。光驱动活化氮气和氢气，绿色环保，既便宜又方便。设计和构筑纳米催化剂及对催化剂进行改性可以实现

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112403462 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011386859.2 (22)申请日 2020.12.01 (71)申请人吉林大学地址 13