掩埋型半导体光学装置.pdfVIP

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  • 2023-05-29 发布于四川
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一种掩埋型半导体光学装置,包括:半导体基板;台面条带部分,包括在半导体基板上的多量子阱层;掩埋层,由第一部分和第二部分组成,第一部分覆盖台面条带部分的一侧,第二部分覆盖所述台面条带部分的另一侧,并且第一部分和第二部分覆盖半导体基板的表面;和电极,其被配置为使电流流过台面条带部分,所述掩埋层从半导体基板的表面开始包括第一子层、第二子层和第三子层,第一子层、第二子层和第三子层均由半绝缘InP组成,第一子层和第二子层形成成对结构,第二子层从半导体基板的表面位于多量子阱层的上方,并且第二子层由选自InG

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112436376 A (43)申请公布日 2021.03.02 (21)申请号 202010618502.6 H01S 5/12 (2021.01)

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