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本发明涉及一种高速DFB激光器芯片及其制作方法，其包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、下限制层、量子阱、上限制层、第一过渡层、腐蚀停止层、第二过渡层、光栅层、P‑InP包层，经过光栅制作后，再二次外延生长P‑InP波导层、欧姆接触层，随后完成脊波导制作、脊条上注电窗口接触条制作，在接触条上制作条形电极，脊波导两侧制作BCB图形，凹槽内的BCB厚度经过刻蚀后与脊波导高度一致，在BCB图形上制作圆形电极，连接条形电极。本发明不仅有效降低激光器各种寄生电容，满足高速调制应用，能降低现有BCB刻蚀工艺
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112436381 B
(45)授权公告日 2022.07.08
(21)申请号 202011347123.4 (56)对比文件
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