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半导体装置的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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半导体装置的形成方法.pdf

    提供一种半导体装置及半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括形成牺牲栅极于基底的主动区上。移除牺牲栅极以形成开口。形成栅极介电层于开口的侧壁及底部上。形成第一功函数层于开口中的栅极介电层上。形成第一保护层于开口中的第一功函数层上。执行第一蚀刻工艺以加宽开口的上方部分。以导电材料填充开口。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466754 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202010547531.8 H01L 29/423 (2006.01)

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