原创力文档- 1
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- 2023-05-30 发布于四川
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提供一种能够提高可靠性并且能够防止成本增大的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。第一p+型区(21)以与p型基区(4)分开的方式设置在沟槽(7)的正下方，并在深度方向Z上与沟槽(7)的底面对置。第一p+型区(21)在沟槽(7)的底面露出，并在沟槽(7)的底面与栅极绝缘膜(8)接触。第二p+型区(22)以与第一p+型区(21)和沟槽(7)分开的方式设置于相邻的沟槽(7)之间(台面区)。第二p+型区(22)的漏极侧端部位于比第一p+型区(21)的漏极侧端部更靠源极侧的位置。n+型区(23)
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466924 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202010751541.3
(22)申请日 2020.07.30
(30)优先权数据
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