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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明公开了一种改善槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复特性的方法，该方法通过在P阱区与N‑外延之间设置一个轻掺杂的Pbuffer缓冲层，通过设置缓冲层可有效降低寄生体二极管正向导通时阳极注入效率，减小寄生体二极管反向恢复电荷。在漏极侧对应源极P+位置下设置高掺杂的p+型控制区，器件漏极区由N型和P+型区镶嵌组成，P+型区为理想欧姆接触，反向恢复过程中为空穴提供了通道，有效改善器件寄生体二极管开关特性。本发明制造方法可有效降低槽栅VDMOS器件寄生体二极管反向恢复电荷，改善器件寄生体二极管反
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112447525 A
(43)申请公布日 2021.03.05
(21)申请号 202011379084.6
(22)申请日 2020.11.30
(71)申请人 北京
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