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- 2023-05-30 发布于四川
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提供能抑制边缘终端区处的破坏的半导体装置(600)，具备有源区(150)；包围有源区的周围的栅极环区(160)；包围栅极环区的周围的源极环区(170)。有源区具有第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层(6)；第一导电型的第一半导体区(7)；栅极绝缘膜(9)；第一栅电极(10a)；层间绝缘膜(11)；第一个第一电极(12a)；第二电极(13)。源极环区具有半导体基板；第一半导体层；第二半导体层(6)；第三半导体区(3)；第二个第一电极(12b)。在源极环区中，在
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466922 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202010720748.4
(22)申请日 2020.07.24
(30)优先权数据
2019-1625
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