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本发明涉及一种双面研磨装置，用于对硅片的相对的两面进行研磨，包括：环状承载结构，用于沿径向从外周侧支撑硅片；相对设置的两个静压支撑件，两个静压支撑件分别位于硅片的两侧，通过流体静压，非接触支撑硅片；相对设置的两个磨轮，用于对硅片的相对的两面进行研磨，两个所述静压支撑件中包括第一静压支撑件和第二静压支撑件，所述第一静压支撑件用于吸附研磨后的硅片；还包括对所述第一静压支撑件进行清洁的清洁结构。本发明还涉及一种双面研磨方法。通过清洁结构的设置，对用于吸附硅片的静压支撑件进行清洁，避免影响晶圆的平滑度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114274041 A
(43)申请公布日 2022.04.05
(21)申请号 202111597504.2 B24B 55/06 (2006.01)
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