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- 2023-05-30 发布于四川
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本发明提供栅极结构的制备方法和栅极结构，所述方法包括：在半导体衬底上依次制备若干个初始栅极和第一介质层；填充目标填充材料，在所述初始栅极间沟槽中形成具有第二深度的第一填充层；去除所述暴露介质层后得到目标栅极间沟槽；在所述目标栅极间沟槽内继续填充目标填充材料，并对所述目标填充材料和所述初始栅极进行研磨后，得到栅极结构；解决了现有技术中栅极结构中的沟槽填充存在空洞或缝隙等问题，本发明通过加大空洞以上的栅极间沟槽的宽度，使在第二次栅极间沟槽填充时既可以对已形成的空洞进行填充，也不会出现新的空洞或缝隙等
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115810540 A
(43)申请公布日 2023.03.17
(21)申请号 202211514876.9
(22)申请日 2022.11.30
(71)申请人 联合微电子中心有限责任公司
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