半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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半导体装置(1)具有10μm≤tsi≤30μm的半导体层(40)、由Ag构成的30μm≤tag

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112470290 B (45)授权公告日 2021.11.30 (21)申请号 201980040517.4 加藤亮 

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