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- 2023-05-30 发布于四川
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一种包含多个存储层的存储器件包括：第一存储层至第n存储层，其分别与第一行线至第n行线耦接，所述第一行线至第n行线在与衬底的表面垂直的竖直方向上层叠在衬底上方，n为正整数；第一连接结构，其在竖直方向上从衬底延伸以耦接到第一行线；偶数编号的连接结构，其在竖直方向上从衬底延伸并且分别耦接到第二行线至第n行线之中的偶数编号的行线的端部；以及奇数编号的连接结构，其在竖直方向上从衬底延伸并且分别耦接到第二行线至第n行线之中的奇数编号的行线的端部。偶数编号的连接结构与奇数编号的连接结构利用第一行线和第一连接结
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466904 A
(43)申请公布日
2021.03.09
(21)申请号 20201
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