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2023-05-30 发布于四川
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一种基于界面掺杂的忆阻器及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于界面掺杂的忆阻器及其制备方法，属于集成微电子器件技术领域。忆阻器包括上电极、功能层和下电极，功能层为金属氧化物，上电极和功能层之间的界面为均匀掺杂。本发明通过对忆阻器中关键的功能层和电极之间的界面进行改进，在惰性电极和功能层之间的界面进行均匀掺杂，会导致界面层产生更多的氧空位，导电丝在该层会比较粗壮，利于稳定导电丝生长；由于未掺杂的介质层氧空位形成能要比掺杂后的介质层氧空位形成能大，热稳定相对较好，因此可以提高器件的高阻态稳定性，使得导电丝形成和断裂的随机性大大减小，提高了忆

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112467027 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011216972.6 (22)申请日 2020.11.04 (71)申请人华中科技大学地址

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