1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种通过基底设计可控生长金属性单壁碳纳米管的方法.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约1.5万字
  • 约 14页
  • 2023-05-30 发布于四川
  • 举报

一种通过基底设计可控生长金属性单壁碳纳米管的方法.pdf

    本发明涉及金属性单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种通过基底设计可控生长金属性单壁碳纳米管的方法。以尖晶石为基底，采用嵌段共聚物自组装方法制备尺寸均一的金属氧化物纳米团簇；利用尖晶石基底对催化剂纳米颗粒的固溶和钉扎作用调控其尺寸、结构和高温稳定性，结合尖晶石基底对不同导电属性单壁碳纳米管的生长速率的影响，实现选择性生长金属性单壁碳纳米管。所制备金属性单壁碳纳米管的直径为1.1±0.2nm、含量为75～85％。本发明通过基底设计和选择，实现了窄直径分布金属性单壁碳纳米管的直接可控生长，为推动金属

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112441574 B (45)授权公告日 2022.08.09 (21)申请号 202011365818.5 C01B 32/162 (2017.01) (22)申请日 2020.1

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >