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- 2023-05-30 发布于四川
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一种存储器装置包括存储器阵列和存储器控制单元。所述存储器包含多层级存储器单元。所述存储器控制单元被配置成：使用第一遍次编程操作起始所述存储器阵列的存储器单元的编程，其中所述第一遍次编程操作使用第一和第二电压阈值分布放置编程数据；在所述存储器单元的字线上使用第一读取电压层级来读取经编程存储器单元；在所述存储器单元的所述字线上使用第二读取电压层级来读取所述经编程存储器单元；确定具有通过所述编程放置于所述第一和第二电压阈值分布之间的电压阈值的所述经编程存储器单元的数目；和响应于所述所确定的单元数目超过
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112470226 B
(45)授权公告日 2021.12.14
(21)申请号 201980048598.2 (72)发明人 G ·卡列洛 F ·罗里
(22)申请日 201
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