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- 2023-05-30 发布于四川
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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成多个分立的核心结构层，所述核心结构层包括刻蚀缓冲层以及位于所述刻蚀缓冲层上的核心层；在所述核心结构层的侧壁上形成侧墙；之后，去除所述核心层；去除所述核心层后，以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述刻蚀缓冲层和刻蚀缓冲层下方的所述基底以在基底中形成第一凹槽，并刻蚀所述刻蚀缓冲层和所述侧墙露出的所述基底以在基底中形成第二凹槽，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。本发明实施例有利于提高第一凹槽和第二凹槽的侧壁形貌一致性、以及剖面形貌质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466751 A
(43)申请公布日
2021.03.09
(21)申请号 20191
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