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硅基MEMS工艺与多物理场耦合的器件性能评估方法.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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硅基MEMS工艺与多物理场耦合的器件性能评估方法.pdf

    本发明公开了硅基MEMS工艺与多物理场耦合的器件性能评估方法，该方法包括：对具有硅基MEMS基底的器件进行制造工艺仿真，获得工艺仿真模型；对工艺仿真模型进行结构设计拓扑，获得拓扑重构后的三维模型；基于拓扑重构后的三维模型，建立工艺及设计耦合模型，并基于耦合物理环境确定耦合时的物理场；进行多物理场数值仿真计算；基于仿真计算结果进行器件性能评估。本发明解决了MEMS制造工艺和几何构型的耦合问题，创新性的数值算法及结构耦合，可以进行MEMS器件结构及制造工艺的优化，大大节省MEMS器件研发成本和周期。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115809576 A (43)申请公布日 2023.03.17 (21)申请号 202211445585.9 G06F 119/14 (2020.01)

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