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SJ-IGBT结构的形成方法、SJ-IGBT结构.pdfVIP

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  • 2023-05-30 发布于四川
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SJ-IGBT结构的形成方法、SJ-IGBT结构.pdf

    一种SJ‑IGBT结构及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成多个栅极结构；在所述半导体衬底上形成多个插塞结构；其中，所述半导体衬底内具有P型体掺杂区和多个P型柱体，至少一部分P型柱体穿通所述P型体掺杂区；对于每个穿通所述P型体掺杂区的P型柱体，该P型柱体与相邻的插塞结构之间均通过单个栅极结构进行隔离，且用于隔离的栅极结构穿通所述P型体掺杂区。本发明可以降低生产成本，提高生产效率，减少工艺限制。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115810655 A (43)申请公布日 2023.03.17 (21)申请号 202211508413.1 (22)申请日 2022.11.28 (71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 地址

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