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- 2023-05-31 发布于四川
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本发明公开一种高纯度金属薄膜的制备方法及制备装置和半导体芯片，其中，包括以下步骤：将金属颗粒或粉状物置于真空室内；通入高纯卤族气体与金属颗粒或粉状物在常温下进行反应；对反应得到的卤化金属气体进行吸附过滤；利用卤化金属气体与杂质的沸点差别进行精馏提纯；将提纯后的卤化金属气体与高纯氢气分别通入等离子体增强化学气相沉积镀膜设备腔室内，在半导体衬底上沉积金属薄膜。本发明方法过程简单，成本低，对原材料的纯度要求低，获得原材料容易，同时可有效提高难熔金属薄膜的纯度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112501586 A
(43)申请公布日 2021.03.16
(21)申请号 202011140464.4 H01L 29/45 (2006.01)
(22)申请日 2
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