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实施方式的半导体装置具备N型的第1阱区域和P型的第2阱区域、设置于第1阱区域的PMOS晶体管以及设置于第2阱区域的NMOS晶体管。PMOS晶体管包括第1栅极绝缘层和第1栅电极。NMOS晶体管包括第2栅极绝缘层和第2栅电极。第1栅电极包括P型的第1半导体层、第1绝缘层以及第1导电体层。第2栅电极包括N型的第2半导体层、第2绝缘层以及第2导电体层。第1绝缘层的膜厚比第2绝缘层的膜厚厚。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112509614 A
(43)申请公布日
2021.03.16
(21)申请号 20201
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