一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法.pdf

本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法，绝缘栅双极晶体管包括N‑漂移区(4)、P型基区(5)、N‑buffer层(10)和N+发射区(6)；P型基区(5)位于N‑漂移区(4)上表面两侧，N+发射区(6)位于P型基区(5)的上表面，且距所述P型基区(5)外侧具有设定距离；N‑buffer层(10)位于N+发射区(6)下方的P型基区(5)内部，通过N‑buffer层(10)降低了绝缘栅双极晶体管的导通压降，且有效抑制绝缘栅双极晶体管发生闩锁现象；通过肖特基接触提高漂移区内的载流子浓度，进一步改善

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112510077 A (43)申请公布日 2021.03.16 (21)申请号 202011059728.3 H01L 29/47 (2006.01)

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