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基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置.pdfVIP

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  • 2023-05-31 发布于四川
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基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置.pdf

    本发明公开了一种基于对位差与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置，其中方法包括：对位标志设置：在第一光学掩膜版上设置n组对位标志，在衬底上设置与所述对位标志相对应的对位标志层，其中n≥2；第一次光刻：在所述衬底上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶，使用所述第一光学掩膜版的n组对位标志分别与所述衬底进行对位并曝光，再对所述衬底进行显影；第二次光刻：在所述第一次光刻后的所述衬底上涂覆非光敏性光刻胶或负性光刻胶，直接对所述衬底进行曝光，或使用第二光学掩膜版对所述衬底进行曝光；再对所述衬底进行显影并热烘焙固化，

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115793413 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211653787.2 (22)申请日 2022.12.22 (71)申请人 上海铭锟半导体有限公司 地址 20

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