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一种非成像半导体套刻误差测量装置及方法.pdfVIP

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  • 2023-05-31 发布于四川
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一种非成像半导体套刻误差测量装置及方法.pdf

    本发明公开了一种非成像半导体套刻误差测量装置及方法，包括搭建明暗场单像素成像光路；基于单像素成像光路进行非成像前提下的傅里叶频域采集；通过傅里叶频域的计算获取二维互相关系数分布；利用二维互相关系数分布进行轮廓中心亚像素定位；通过两个轮廓的亚像素定位作差计算套刻误差。本发明实现了在无需成像的前提下，仅通过光强测量直接定位检测目标的亚像素轮廓中心并计算套刻误差，极大的降低了图形运算所产生的数据量，提高了测量效率，拓展了单像素成像技术在半导体套刻误差测量领域的应用。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115793412 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211615875.3 (22)申请日 2022.12.15 (71)申请人 中国科学技术大学 地址 23002

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